GE IS200TRPGH1BCC ძირითადი სამგზავრო ტერმინალის დაფა
ზოგადი ინფორმაცია
წარმოება | GE |
საქონელი No | IS200TRPGH1BCC |
სტატიის ნომერი | IS200TRPGH1BCC |
სერიალი | მარკ VI |
წარმოშობა | შეერთებული შტატები (აშშ) |
განზომილება | 180*180*30 (მმ) |
წონა | 0,8 კგ |
საბაჟო ტარიფის ნომერი | 85389091 |
ტიპი | პირველადი სამგზავრო ტერმინალის საბჭო |
დეტალური მონაცემები
GE IS200TRPGH1BCC ძირითადი სამგზავრო ტერმინალის დაფა
პროდუქტის სამუშაო ტემპერატურაა -20"C-დან +60"C-მდე. ტერმინალის მოდულს აქვს მაქსიმუმ 8 ერთდროული არხი. მას აქვს კომპაქტური დიზაინი, რომელიც აუმჯობესებს საოპერაციო ეფექტურობას და სიზუსტეს. ეს ტერმინალის დაფა აღჭურვილია 16 შეყვანის არხით და შეუძლია გაუმკლავდეს სხვადასხვა ტიპის თერმოწყვილებს, რაც უზრუნველყოფს ტემპერატურის გაზომვის საიმედო გადაწყვეტას სხვადასხვა სამრეწველო გამოყენებისთვის. იგი ასევე აღჭურვილია GEIS200TRPGH1BCC 12-ბიტიანი გარჩევადობით, რათა უზრუნველყოს მაღალი სიზუსტით ტემპერატურის ჩვენება. მისი გამოყენება შესაძლებელია მკაცრ გარემოში, როგორიცაა ნავთობქიმიური, ელექტროენერგიის გამომუშავება და საწარმოო მრეწველობა. ტერმინალის დაფა აღჭურვილია 24-პინიანი კონექტორით, რათა გაამარტივოს კავშირის პროცესი და შეამციროს შეფერხების დრო სისტემის მოვლის დროს. გარდა ამისა, მოყვება ორი დიდი ტერმინალის დაფა 24 ვერცხლის ლითონის კონტაქტებით მარტივი გაყვანილობისა და დეკონსტრუქციისთვის. თერმოწყვილების ტერმინალის დაფები უზრუნველყოფს შეუდარებელ სიზუსტეს კონტროლს სამრეწველო გარემოში, რაც უზრუნველყოფს ზუსტი ტემპერატურის გაზომვას და მონაცემთა საიმედო გადაცემას.
ხშირად დასმული კითხვები პროდუქტის შესახებ შემდეგია:
-რა არის IS200TRPGH1BCC-ის მთავარი ფუნქცია?
მთავარი სამგზავრო ტერმინალის დაფა, რომელიც გამოიყენება GE გაზის ტურბინების ან ორთქლის ტურბინების მართვის სისტემაში, პასუხისმგებელია მოგზაურობის სიგნალების დამუშავებაზე, რათა უზრუნველყოს სისტემის უსაფრთხო გამორთვა არანორმალურ პირობებში.
-სად არის დაყენებული ეს ტერმინალის დაფა ჩვეულებრივ?
დამონტაჟებულია ტურბინის საკონტროლო კაბინეტში, მუშაობს სხვა საკონტროლო მოდულებთან და ტერმინალის დაფებთან.
- რა არის IS200TRPGH1BCC-ის საერთო ხარვეზები?
ფხვიერი ან დაზიანებული კონექტორები, სიგნალის გადაცემის შეწყვეტა, მიკროსქემის დაფაზე კომპონენტების დაბერება ან დაზიანება და ა.შ.
